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平成20年度 SPring-8 重点産業利用課題成果報告書(2008B)
目次

1. はじめに
2. 公募の内容
3. 成果公開の考え方
4. 実施の経緯と流れ
5. 結果
6. 民間企業への波及効果と今後の課題
7. 課題利用報告書
* 送付を希望される方は、連絡先(氏名、所属、〒住所、E-mail)をご記入の上、 事務局 support@spring8.or.jp までE-mailでご連絡ください。

はじめに

 産業利用の更なる促進を目的に、平成17年度(2005B期)より文部科学省のプログラムとして先端大型研究施設 戦略活用プログラム(戦略活用プログラム)が実施されて支援体制の整備が進み、利用実績も増加すると共に 産業利用推進室の活動も軌道に乗ってきた。平成19年度(2007A期)から、重点産業利用課題は領域指定型の 重点研究課題の一つとして承認された。この重点産業利用課題は、先に実施された戦略活用プログラムを継承 する施策として位置付けて実施されている。

公募の内容
  1. 公募の分類
     本プログラムで募集する課題は「新規利用者」、「新領域」、「産業基盤共通」と「先端技術開発」 の4つに分類している。
     「新規利用者」とは、申請代表者が、これまで、一般課題への応募などを含め、SPring-8を利用した ことのない利用者を指している。但し、事業規模が相当程度大きく事業範囲が多岐に及ぶ企業で、 これらの企業が既に利用している場合には、既に利用している事業分野とは異なる新規分野からの新 たなユーザーであれば、「新規利用者」として認めている。
     「新領域」とは、申請者の利用経験に関係なく、これまでSPring-8で実施されたことがない産業領 域、あるいは、近年開発された新手法を用いることによって新たな展開が可能になる産業領域を指し ている。新領域の例示を下記に示しているが、これ以外でも新規性が認められる研究領域であれば、 新領域の対象になる。。

       ○コンクリート等建築資材⇒三次元内部構造をX線CTによる撮影
       ○ヘルスケア⇒毛髪や皮膚の構造をX線回折・散乱及び透視画像で解析
       ○医薬品原薬⇒粉末X線回折による構造解析
       ○硬X線光電子分光法⇒薄膜材料の内部界面の状態解析
       ○環境負荷物質微量分析⇒大気・水などの重金属汚染物質の化学状態
       ○耐腐食構造材⇒金属材料の表層やサビの構造・状態分析
       ○高密度記録装置⇒DVD、HDD等の新規記録材料の薄膜構造・状態分析

     「産業基盤共通」とは、それぞれの産業分野に共通する課題を解決する目的、あるいは産業利用に 有効な手法の共同開発を目的として、複数の企業を含むグループが一体となって取り組むもので、新 計測技術の確立、共通課題のデータベース化等を図る研究を指している。申請代表者が複数の企業を 含むグループを取りまとめて、1つの課題として申請して頂く。ここで言う「複数の企業」とは、そ れぞれ参加する企業が同等かつ独立に成果を利用できる関係にあることを想定している。したがって、 産学官連携の研究グループによる利用の場合には、学と官は「複数の企業」としてカウントされない。
     「先端技術開発」とは、ユーザーが実施するイノベーション型の技術開発課題で、成果の企業業績へ の貢献、あるいは社会還元を目指した研究を指している。

  2. 公募の回数
    BL19B2(産業利用T)、BL14B2(産業利用U)、BL46XU(産業利用V)の3本のビームラインは、 2007B期から課題公募を2回に分けて実施している。これら3本の産業利用ビームラインを除く共 用ビームラインのうち、重点産業利用課題にビームタイムを割り当てた対象ビームラインでは、 これまで通り、2008B期の課題公募では1回である。

成果公開の考え方

SPring-8を利用して得られた実験・解析結果及び成果は、以下の利用報告書に取りまとめて提出してもらう。

  1. 利用報告書Experiment Report(英文または和文)
    利用終了日から60日以内にオンライン提出。
  2. 重点産業利用課題報告書(原則和文)
    課題採択後に利用業務部より送付される文書に記載されている締切日までに提出。 なお、提出方法は「電子データ(原則としてMSワード)」を電子メールまたは郵送で所定の宛先に提出。

 上記の2008B期の報告書のうち「利用報告書Experiment Report」は2008B期終了後60日目から2週間後 にWeb上で公開される。「重点産業利用課題報告書」は印刷公表とする。ただし、利用者が提出した報告 書について、製品化や特許取得などの理由により公開の延期を希望する場合は、財団法人高輝度光科学 研究センターが適当と認めた場合に限り最大2年間延期することができる(2つの報告書自体は、締切日 までに必ず提出してもらう)。また、公開延期期間満了時には、公開延期を認められた申請時の理由に 対して、結果・成果等をまとめて報告をしてもらう。

実施の経緯と流れ
  1. 重点領域の指定
     重点産業利用課題が領域指定型の重点研究課題として、平成19年1月26日に重点領域推進委員会で 平成19年度と平成20年度の2年間指定を受けた。これより、重点産業利用課題は領域指定型の重点研究 課題(公募)として扱われている。
  2. 課題選定
     課題の選考は、学識経験者、産業界等の有識者から構成される「利用研究課題審査委員会」 (以下「課題審査委員会」という。)により実施される。課題審査委員会は、「重点産業利用領域」 として領域指定された趣旨に照らして優秀と認められる課題を選定する。
     審査は非公開で行われるが、申請課題との利害関係者は当該課題の審査から排除される。また、 検討会および選定委員会の委員は、委員として取得した一切の情報を、委員の職にある期間だけ でなくその職を退いた後も第三者に漏洩しないこと、情報を善良な管理者の注意義務をもって管 理すること等の秘密保持を遵守することが義務付けられている。
  3. 審査の手順
     審査は以下の手順により実施される。
    1. 形式審査
      提出された申請書類について、応募の要件を満たしているかについて審査する。 なお、応募の要件を満たしていないものは、以降の審査の対象から除外される場合がある。
    2. 書類審査
      課題審査委員会の下に設置する産業利用分科会により、書類審査を実施する。
    3. 最終審査
      書類審査における評価を踏まえ、課題審査委員会において審査を実施し採択課題を決定する。
  4. 審査の観点
     審査(形式審査を除く)は、以下の観点に重点を置いて実施される。
    1. 科学技術における先端性を有すること
    2. 産業利用上の成果創出に資すること
    3. 課題分類の趣旨に合致すること
    4. 研究手段としてのSPring-8の必要性
    5. 実験内容の技術的な実施可能性
    6. 実験内容の安全性
  5. 利用者支援
     コーディネーター並びに産業利用支援グループが中心となり、課題毎に担当者をおき、 BL担当者の協力の下、全所的に利用者支援を実施した。支援の内容は、重点分野における実験環境の整備、 コーディネーター及びスタッフによる実験企画・準備、実験実施、実験解析に至る技術支援などからなる。
  6. 利用実験
     平成20年10月8日〜平成21年3月12日までに実施された利用実験課題である
  7. 報告
     平成21年9月3日〜4日に開催予定の第6回SPring-8産業利用報告会において、平成20年度2008B期の重点 産業利用課題の成果報告を行う。
結果

以下に平成20年度2008B期の重点産業利用課題の応募・採択結果についてまとめる。

  1. 応募・採択結果

    表1 募集時期及び研究機関別応募・採択結果
    募集時期 機関分類 応募数* 採択数* 採択率(%)
    第1回募集 学官
    37
    16
    43.2
    産業界
    73
    48
    65.8
    第2回募集 学官
    37
    12
    32.4
    産業界
    48
    15
    31.3
    *応募数・採択数には、一般課題に分類される下記の12条課題は除外している。
    第1回:3課題(学官:採択1課題、不採択2課題)
    第2回:3課題(学官:採択3課題)


  2. 分類
    表2 募集時期及び研究機関別・領域別採択結果
    募集時期 領域分類 産業界 学官 産学官合計
    第1回募集 産業基盤共通
    1
    4
    5
    新規利用者
    3
    3
    6
    新領域
    15
    1
    16
    先端技術開発
    29
    8
    37
    第2回募集 産業基盤共通
    0
    1
    1
    新規利用者
    2
    2
    4
    新領域
    4
    2
    6
    先端技術開発
    9
    7
    16


  3. 利用報告書の公開日延期
     2008B期で実施した課題について利用報告書公開日延期申請が提出された課題の内訳は次の通りである。
    ○公開日延長許可:17課題
     理由内訳(複数回答有り)
      a.知的財産権の取得のため:10課題
      b.事業への適用のため:6課題(2課題はaと重複、1課題はcと重複)
      c.その他の理由:4課題

    ○公開日延長不許可:なし

     下記の表3は、公開日延期許可された課題を分野別に分類した結果を示す。

    表3 分野別公開日延期許可課題
    分野 課題件数
    エレクトロニクス
    5
    環境・エネルギー
    5
    素材(金属・高分子等)
    6
    製薬・生活用品
    1
    その他
    0
    合計
    17


  4. 産官学の動向
    1. 研究機関
       本プログラムでは産業界にとって有効な利用手法の開発が産学官連携により積極 的に展開されるとの観点から、民間企業のみならず、大学等の公的部門からの応 募も受け入れることにしている。これにより、2008B期においては学官からの採択 課題数の割合が約4割と以前に比べ増加した。しかしながら、表1に示す通り、 2008B期では学官からの採択課題数の割合が約3割となり、その傾向が沈静化して いる。今後も、この推移を注視し、産業基盤共通など本プログラムで意図している 産学官連携の推進という方針との関係を含めて、どのような傾向で推移するかを詳 しく分析する必要がある。
    2. 産業基盤共通
       複数の企業を含むグループが一体となって取り組む「産業基盤共通」の課題は、 表2に示す通り2008B期では合計6課題が採択され、そのうち5課題において申請代 表者が学官の研究機関である。今後、この「産業基盤共通」の課題が産学官連携 の推進の方針に合致したものであるか、例えば成果報告書などにより課題毎に検 証する必要がある。
    3. 分野別分類
       図1は、申請代表者の申告に基づいて分類した分野別採択課題数を示している。 産学官の総計ではエレクトロニクス分野の課題が多く、次いで環境・エネルギー 分野と素材分野が続いている。また、2008B期との大きな違いは、エレクトロニク ス分野と素材分野において学官の課題数が少なくなっている。詳しく分析する必 要があるものの、表1に示す通り、学官の採択率が産業界に比べて、それほど低く ないことから、この2つの分野では一般課題あるいはナノテク課題へと移行した可 能性もある。いずれにしても、産業界においてエレクトロニクス分野と素材分野 2大分野では、依然としてSPring-8の利用技術が極めて有用であることを示している。


      図1 分野別採択課題数

    民間企業への波及効果と今後の課題

     図2は2008B期において、重点産業利用課題を含む共同利用研究実施課題のうち、 実験責任者が民間企業の研究者である課題数の割合を示したものである。図に示す 通り、実験責任者が民間企業の研究者である課題数は共同利用研究実施課題全体の 22.6%の割合である。その内訳は、重点産業利用課題が9.4%、一般課題のうち成果 専有課題が10.1%である。この2つを合わせて19.5%となり、産業界は成果公開延期 制度をもつ重点産業利用課題と成果専有課題の2つの利用制度を旨く使い分けている ことが分かる。そのことは、図3に示す課題分類別推移においてもその傾向を良く示 している。即ち、2008年を通して、民間企業が共同利用研究課題で実施したものの うち、実に85%が重点産業利用課題あるいは成果専有課題の2つの利用制度で実施 していることが分かる。これは、本制度が民間企業に根付いてきていることを表し ている。また、図4は、利用技術分野別(ビームライン別)民間企業実施課題数を応募 課題分類に色分けして示したグラフである。図から明らかなように産業利用T (BL19B2)、産業利用U(BL14B2)、産業利用V(BL46XU)の3本のビームラインで は、成果専有課題の割合が他のビームラインと比較して極端に多いことが分かる。こ のことは、SPring-8の有用性が益々認識され、民間企業の実験課題がより事業領域に 近い課題へと広がりを見せてきている証拠であると考えられる。
     今後は、特定ビームラインへの課題集中による競争で課題申請しても採択されずに 実施できない課題も未だ数多くあることから、測定技術向上と効率化あるいは試料搬 送の自動化など過度な競争を緩和するあらゆる方策をタイムリーに進める。また、こ れから次第にその利用者の増加が見込まれる分析スタッフを持たない中規模企業への 対応も早急に検討し、具体化する予定である。



    図2 2008B共同利用研究実施課題の民間企業の実験責任者の割合



    図3 民間企業による共同利用研究実施課題の課題分類別推移



    図4 利用技術分野別(ビームライン別)民間企業実施課題数



    課題報告書

    この成果報告書に掲載される課題報告書は、2008B利用期に実施された課題のうち、 利用報告書公開日延期申請許可となったものは除いている。

     
    2008B1848 宝石サンゴ骨軸における炭酸塩構造のSR-IR分析 岩崎 望 高知大学
    2008B1849 放射光粉末X線回折法による宝石珊瑚骨軸の炭酸塩構造解析 長谷川 浩 金沢大学
    2008B1850 In situ XAFSによる固体高分子形燃料電池に用いる非白金酸素還元触媒の局所構造解析 石原 顕光 横浜国立大学
    2008B1851 燃料電池用非白金電極触媒の精密構造解析 石原 顕光 横浜国立大学
    2008B1852 全反射硬X線光電子分光法による半導体界面層の解析 吉木 昌彦 株式会社東芝
    2008B1853 XAFSによる極端紫外線露光装置用多層膜ミラー表面の局所構造解析 松成 秀一 株式会社ニコン
    2008B1854 GIXD/XRによる極端紫外線露光装置用多層膜ミラー表面の局所構造解析 松成 秀一 株式会社ニコン
    2008B1855 角層細胞間脂質の動的構造変化に基づく医薬品・化粧品の開発研究 高山 幸三 星薬科大学
    2008B1856 X線マイクロトモグラフィーによる電子基板のマイクロ接合部における疲労損傷のヘルスモニタリング 岡本 佳之 コーセル株式会社
    2008B1858 X線を用いたパーマ処理毛髪中におけるコルテックスの構造解析及び毛髪補修効果の検討 安   鋼 コタ株式会社
    2008B1859 磁気ヘッド膜の反強磁性/強磁性界面における磁気構造の評価 平野 辰巳 株式会社日立製作所
    2008B1860 紫外線を照射した皮膚角層細胞間脂質の熱変化における組織構造解析 吉田 友和 花王株式会社
    2008B1862 Co/SiO2触媒上でのFT合成活性種の形成過程に及ぼすキレート剤の影響: In-situ QEXAFS法による検討 小泉 直人 東北大学大学院
    2008B1864 水熱条件下でのトバモライト生成過程のその場X線回折 松野 信也 旭化成株式会社
    2008B1867 液晶配向膜上に蒸着した液晶分子の分子配向とラビング強度との相関の解明 石井 秀則 日産化学工業株式会社
    2008B1871
    2008B2055
    有機結晶分子センサーによるシックハウスガス可視化検知システムの構造解析およびガス検知機構の解明 高谷  光 京都大学
    2008B1872 X線小角散乱による、縮毛矯正(ストレートパーマ)施術によるクセ毛の中間径フィラメント(IF)の構造変化の研究(2) 細谷 佳一 株式会社ヌースフィット
    2008B1873 鉄触媒クロスカップリング反応における触媒活性種の解析 中村 正治 京都大学
    2008B1874 LixCoO2(x =0.53)単斜晶相の温度依存性 向  和彦 株式会社豊田中央研究所
    2008B1875 X線散乱法による半導体デバイスパターン形状計測 表  和彦 株式会社リガク
    2008B1877 MEM解析による固体酸化物型燃料電池材料の長期アニールにおける安定性の考察 伊藤 孝憲 AGCセイミケミカル株式会社
    2008B1878 GI-SWAXSによるポリプロピレンフィルムの表面構造評価 桜井 孝至 住友化学株式会社
    2008B1881 ディーゼルPM燃焼触媒の局所構造解析 池上 啓太 熊本大学大学院
    2008B1895 三次元培養ヒト皮膚モデルを用いた皮膚浸透試験 坂  貞徳 日本メナード化粧品株式会社
    2008B1896 In-situ XAFS解析によるSOFC空気極材料の酸素拡散と局所構造の関係 伊藤 孝憲 AGCセイミケミカル株式会社
    2008B1898 微小角入射X線散乱によるポリエステルフィルムの表面構造解析 吉谷 博司 積水化学工業株式会社
    2008B1901 ナノダイヤモンドへの常磁性イオン注入後の局所構造解析 森田 将史 滋賀医科大学
    2008B1903 極小角X線散乱法を用いた損傷毛髪の構造解析 井上 敬文 株式会社カネボウ化粧品
    2008B1907 マイクロビーム小角X線散乱法による毛髪老化ケア技術の作用メカニズム解析 梶浦 嘉夫 花王株式会社
    2008B1909 In-situ XAFSによるNb-Ti-Ni合金系水素分離膜の劣化機構解明 岩波 睦修 新日本石油株式会社
    2008B1916 X線CTによるリチウムイオン二次電池合金負極の充電に伴う電極構造のその場観察(1年課題) 安田 博文 日産自動車株式会社
    2008B1917
    2008B2073
    高い電荷保持特性を有するH-less SiN膜の深さ方向組成分析 小椋 厚志 明治大学
    2008B1918 X線反射率測定による高分子のフッ素化が酸発生剤分布に与える影響の解明 小野寺純一 東京応化工業株式会社
    2008B1919 金属酸化物ガスセンサにおける経年的な特性変化の原因究明(T) 前川  亨 新コスモス電機株式会社
    2008B1920 金属酸化物ガスセンサにおける経年的な特性変化の原因究明(U) 前川  亨 新コスモス電機株式会社
    2008B1921 ガスセンサ用酸化スズ材料におけるドーパントの相互作用 前川  亨 新コスモス電機株式会社
    2008B1922 金属材料における疲労き裂進展モード遷移条件の解明(1年課題) 中井 善一 神戸大学大学院
    2008B1923 磁気デバイス反強磁性/強磁性交換結合膜における交換結合バイアスの軟X線共鳴磁気反射率による起源解明 淡路 直樹 株式会社富士通研究所
    2008B1924 光ファイバー通信用(Ga,In)(N,As)系半導体におけるアニール効果のXAFS法による研究 青柳 利隆 三菱電機株式会社
    2008B1926 III-N-V 半導体におけるアニール効果の放射光を用いた硬X線光電子分光法による研究 石川史太郎 大阪大学大学院
    2008B1928 白色X線マイクロビーム、二次元検出器と半導体検出器を用いたステンレス鋼の結晶粒界歪み分布測定 有岡 孝司 株式会社原子力安全システム研究所
    2008B1929 酸化物分散強化型フェライト鋼の製造過程における酸化物分散粒子分布の放射光その場観察に基づく析出機構の解明(1年課題) 菖蒲 敬久 独立行政法人日本原子力研究開発機構
    2008B1930 微小角入射X線回折を用いた有機薄膜光学ローパスフィルター(OLPF)の自己組織化構造の解析 酒井 隆宏 三菱レイヨン株式会社
    2008B1932 加硫ゴムの伸長結晶化−不均一網目構造が及ぼす加硫ゴムのダイナミクス― 池田 裕子 京都工芸繊維大学
    2008B1934 硬X線光電子分光法による有機EL素子界面の研究 渋谷 忠夫 出光興産株式会社
    2008B1935 X線イメージングを用いたゴム材料の亀裂ひずみ観察 馬渕 貴裕 住友ゴム工業株式会社
    2008B1936 XMCD-PEEMによる磁気ヘッド・MRAM用交換結合膜の磁区構造のパターンサイズ依存性 野村 健二 株式会社富士通研究所
    2008B1948 ]線高速/高分解能イメージングのためのキャピラリコンデンサの開発 松永 大輔 株式会社堀場製作所
    2008B1949 絶縁膜/グラフェン/SiC積層構造のX線CTR散乱を用いた構造解析 日比野浩樹 日本電信電話株式会社
    2008B1954 Dyを含有するNd-Fe-B系焼結磁石の表面磁区構造観察 福本 恵紀 株式会社豊田中央研究所
    2008B1955 浸透性ケイ酸系表面改質剤によるコンクリート構造物のひび割れ修復性能確認 鈴木 美樹 LINACK株式会社
    2008B1956 サブナノスケールでサイズ制御したデンドリマー内包金属クラスター触媒の製品化に向けた合成法の最適化 金田 清臣 大阪大学大学院
    2008B1958 放射光を用いたX線小角散乱法による鋼中介在物・析出物の粒径分布測定 谷山  明 住友金属工業株式会社
    2008B2030 放射光X線を含む3放射線を用いた浸炭鋼のハイブリッド残留応力測定法の開発 坂井田喜久 静岡大学
    2008B2031 水熱条件下でのトバモライト生成過程のその場X線回折 松野 信也 旭化成株式会社
    2008B2037 シリコン中での遷移金属の拡散挙動と複合体中での局所構造解析 松川 和人 株式会社ルネサステクノロジ
    2008B2040 生物酸化鉄の構造と3価砒素の吸着特性のXAFSによる検討 藤川 陽子 京都大学
    2008B2042 硬X線光電子分光による無極性窒素ガリウム/電極界面の解析 京野 孝史 住友電気工業株式会社
    2008B2048 メタルゲート/high-k薄膜の蛍光XAFS法による評価 尾嶋 正治 東京大学大学院
    2008B2049 籠状分子構造タンパク質内で合成したPd-Cuナノ粒子の構造解析 田中 万也 独立行政法人日本原子力研究開発機構
    2008B2060 強誘電体メモリー用Bi層状酸化物の誘電特性とMEMによる電荷密度の考察 伊藤 孝憲 AGCセイミケミカル株式会社
    2008B2066 ディーゼル粒子状物質低温燃焼用新規アルカリ金属触媒のIn-situ QXAFS解析 清水 研一 名古屋大学大学院
    2008B2067 X線光電子分光を用いたITOとα-NPD間にMoO3超薄膜を挿入することによるα−NPD、MoO3界面の電子状態詳細解析 塩沢 一成 株式会社三井化学分析センター
    2008B2077 全固体リチウム二次電池の高性能化に向けた界面遷移相の解明 入山 恭寿 静岡大学
    2008B2078 放射光CTによるステンレス鋼溶接金属内の応力腐食割れき裂の検出 中東 重雄 財団法人発電設備技術検査協会
    2008B2081 XAFSを用いたITOとα-NPD界面へ挿入されたMoO3超薄膜の構造ならびに電子状態の詳細解析 塩沢 一成 株式会社三井化学分析センター
    2008B2085 ミスフィット層状化合物熱電材料の導電性へおよぼす遷移金属酸化物の添加効果 豊田 丈紫 石川県工業試験場
    2008B2086 半導体デバイスのはんだ接合部周辺に対する応力分布評価 仲野 純章 パナソニック株式会社
    2008B2100 XAFS測定による合成炭酸カルシウム粒子生成機構の解明 江口健一郎 株式会社白石中央研究所
    2008B2101 その場観察過程におけるアルミニウムアミドM(Al(NH2)4)x (M = Li, Na, K, Ca, Mg; x = 1, 2)の構造特性評価 坪田 雅己 広島大学
    2008B2104 アルミニウム合金疲労き裂の進展および合体挙動の放射光CTによる観察 佐野 雄二 株式会社東芝
    2008B2112 Bi系酸化物超電導線材の焼結過程の二次元検出器を用いたin-situ X線回折法の検討 上村 重明 住友電気工業株式会社
    「SPring-8重点産業利用課題成果報告書(2008B)」送付を希望される方は、
    連絡先(氏名、所属、〒住所、E-mail)をご記入の上、事務局 support@spring8.or.jp までE-mailでご連絡ください。

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