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平成21年度 SPring-8 重点産業利用課題成果報告書(2009A)
目次

1. はじめに
2. 公募の内容
3. 成果公開の考え方
4. 実施の経緯と流れ
5. 結果
6. 民間企業への波及効果と今後の課題
7. 課題利用報告書

はじめに

 産業界の更なる利用促進を目的に、平成17年度(2005B期)から平成18年度末まで2年間、文部科学省のプログラム として先端大型研究施設戦略活用プログラム(戦略活用プログラム)が実施された。平成19年度4月(2007A期)から は、重点産業利用課題が領域指定型の重点研究課題の一つとして承認され、戦略活用プログラムを継承する施策と して実施されている。

公募の内容
  1. 公募の分類
     本プログラムで募集する課題は「新規利用者」、「新領域」、「産業基盤共通」と「先端技術開発」の 4つに分類している。
     「新規利用者」とは、申請代表者が、これまで、一般課題への応募などを含め、SPring-8を利用したことのない 利用者を指している。但し、事業規模が相当程度大きく事業範囲が多岐に及ぶ企業で、これらの企業が既に利用 している場合には、既に利用している事業分野とは異なる新規分野からの新たなユーザーであれば、「新規利用者」 として認めている。
     「「新領域」とは、申請者の利用経験に関係なく、これまでSPring-8で実施されたことがない産業領域、あるいは、 近年開発された新手法を用いることによって新たな展開が可能になる産業領域を指している。新領域の例示を下記に 示しているが、これ以外でも新規性が認められる研究領域であれば、新領域の対象になる。

       ○コンクリート等建築資材⇒三次元内部構造をX線CTによる撮影
       ○ヘルスケア⇒毛髪や皮膚の構造をX線回折・散乱及び透視画像で解析
       ○医薬品原薬⇒粉末X線回折による構造解析
       ○硬X線光電子分光法⇒薄膜材料の内部界面の状態解析
       ○環境負荷物質微量分析⇒大気・水などの重金属汚染物質の化学状態
       ○耐腐食構造材⇒金属材料の表層やサビの構造・状態分析
       ○高密度記録装置⇒DVD、HDD等の新規記録材料の薄膜構造・状態分析

     「産業基盤共通」とは、それぞれの産業分野に共通する課題を解決する目的、あるいは産業利用に有効な手法の 共同開発を目的として、複数の企業を含むグループが一体となって取り組むもので、新計測技術の確立、共通課題 のデータベース化等を図る研究を指している。申請代表者が複数の企業を含むグループを取りまとめて、1つの課題 として申請して頂く。ここで言う「複数の企業」とは、それぞれ参加する企業が同等かつ独立に成果を利用できる 関係にあることを想定している。したがって、産学官連携の研究グループによる利用の場合には、学と官は「複数の企業」 としてカウントされない。
     「先端技術開発」とは、ユーザーが実施するイノベーション型の技術開発課題で、成果の企業業績への貢献、 あるいは社会還元を目指した研究を指している。

  2. 公募の回数
    BL19B2(産業利用T)、BL14B2(産業利用U)、BL46XU(産業利用V)の3本のビームラインは、2007B期から各利用期 において2回に分けて課題公募を実施している(即ち、年4回に分けて課題公募を実施)。これら3本の産業利用ビーム ラインを除く共用ビームラインのうち、重点産業利用課題にビームタイムを割り当てた対象ビームラインでは、 これまで通り、2009A期の課題公募では1回である。

成果公開の考え方

SPring-8を利用して得られた実験・解析結果及び成果は、以下の2つの報告書を提出してもらう。

  1. 利用報告書Experiment Report(英文または和文)
    利用終了日から60日以内にオンライン提出。
  2. 重点産業利用課題報告書(原則和文)
    課題採択後に利用業務部より送付される文書に記載されている締切日までに提出。 なお、提出方法は「電子データ(原則としてMSワード)」を電子メールまたは郵送で所定の宛先に提出。

 上記の2009A期の報告書のうち「利用報告書Experiment Report」は2009A期終了後60日目から2週間後 にWeb上で公開される。また、「重点産業利用課題報告書」は印刷公表とする。ただし、利用者が提出 した報告書について、製品化や特許取得などの理由により公開の延期を希望する場合は、財団法人 高輝度光科学研究センターが適当と認めた場合に限り最大2年間延期することができる(2つの報告書自体は、 締切日までに必ず提出してもらう)。また、公開延期期間満了時には、公開延期理由の結果・成果の報告 をしてもらう。

実施の経緯と流れ
  1. 重点領域の指定
     重点産業利用課題が領域指定型の重点研究課題として、平成19年1月26日に重点領域推進委員会で 平成19年度と平成20年度の2年間指定を受けた。これより、重点産業利用課題は領域指定型の重点研究課題 (公募)として扱われている。
  2. 課題選定
     課題の選考は、学識経験者、産業界等の有識者から構成される「利用研究課題審査委員会」 (以下「課題審査委員会」という。)により実施される。課題審査委員会は、「重点産業利用領域」 として領域指定された趣旨に照らして優秀と認められる課題を選定する。
     審査は非公開で行われるが、申請課題との利害関係者は当該課題の審査から排除される。また、 各委員は委員として取得した一切の情報を委員の職にある期間だけでなくその職を退いた後も第三者 に漏洩しないこと、情報を善良な管理者の注意義務をもって管理すること等の秘密保持を遵守する ことが義務付けられている。
  3. 審査の手順
     審査は以下の手順により実施される。
    1. 形式審査
      提出された申請書類について、応募の要件を満たしているかについて審査する。 なお、応募の要件を満たしていないものは、以降の審査の対象から除外される場合がある。
    2. 書類審査
      課題審査委員会の下に設置する産業利用分科会により、書類審査を実施する。
    3. 最終審査
      書類審査における評価を踏まえ、課題審査委員会において審査を実施し採択課題を決定する。
  4. 審査の観点
     審査(形式審査を除く)は、以下の観点に重点を置いて実施される。
    1. 科学技術における先端性を有すること
    2. 産業利用上の成果創出に資すること
    3. 課題分類の趣旨に合致すること
    4. 研究手段としてのSPring-8の必要性
    5. 実験内容の技術的な実施可能性
    6. 実験内容の安全性
  5. 利用者支援
     コーディネーター並びに産業利用支援グループが中心となり、課題毎に担当者をおき、 BL担当者の協力の下、全所的に利用者支援を実施している。支援の内容は、重点分野に おける実験環境の整備、コーディネーター及びスタッフによる実験企画・準備、実験実施、 実験解析に至る技術支援などからなる。
  6. 利用実験
     平成21年4月5日〜平成21年7月28日までに実施された利用実験課題である。
  7. 報告
     平成22年11月4日〜5日に開催予定の第7回SPring-8産業利用報告会において、平成21年度 2009A期の重点産業利用課題の成果報告を行う。
結果

以下に平成21年度2009A期の重点産業利用課題の応募・採択結果についてまとめる。

  1. 応募・採択結果

    表1 募集時期及び研究機関別応募・採択結果
    募集時期 機関分類 応募数* 採択数* 採択率(%)
    第1回募集 学官
    35
    21
    60.0
    産業界
    68
    52
    76.5
    第2回募集 学官
    19
    13
    68.4
    産業界
    25
    19
    76.0
    *応募数・採択数には、一般課題に分類される下記の12条課題は除外している。
    第1回:6課題(学官:不採択なし)
    第2回:1課題(学官:不採択なし)


  2. 分類
    表2 募集時期及び研究機関別・領域別採択結果
    募集時期 領域分類 産業界 学官 産学官合計
    第1回募集 新規利用者
    11
    2
    13
    新領域
    15
    3
    18
    産業基盤共通
    1
    5
    6
    先端技術開発
    25
    11
    36
    第2回募集 新規利用者
    3
    4
    7
    新領域
    2
    1
    3
    産業基盤共通
    2
    1
    3
    先端技術開発
    12
    7
    19


  3. 利用報告書の公開日延期
     2009A期で実施した課題について利用報告書公開日延期申請が提出された課題の内訳は次の通りである。
    ○公開日延長許可:24課題
     理由内訳(複数回答有り)
      a.知的財産権の取得のため:18課題
      b.事業への適用のため:13課題(8課題はaと重複、1課題はa、cと重複)
      c.その他の理由:4課題(3課題はaと重複、内1課題はa、bと重複)

    ○公開日延長不許可:なし

     下記の表3は、公開日延期許可された課題を分野別に分類した結果を示す。

    表3 分野別公開日延期許可課題
    分野 課題件数
    エレクトロニクス
    7
    環境・エネルギー
    7
    素材(金属・高分子等)
    7
    製薬・生活用品
    3
    その他
    0
    合計
    24


  4. 産官学の動向
    1. 研究機関
       本プログラムでは産業界にとって有効な利用手法の開発が産学官連携により 積極的に展開されるとの観点から、民間企業のみならず、大学等の公的部門から の応募も受け入れることにしている。2008A期に一旦は学官からの採択課題数の 割合が約4割と以前に比べ増加したものの、表1に示す通り、2008B期と同様、 学官からの採択課題数の割合が3割程度に留まり、2008A期における学官の採択 課題割合の増加は一時的なものであることが読み取れる。また、この2008A期 における学官の割合の一時的な増加は、図1(分野別分類の項で詳しく述べる) に示すエレクトロニクス分野と素材分野における学官の課題数の一時的な増加 と一致することから、この統計データを詳しく分析することで原因を掴むこと ができると思われる。またさらに、産業基盤共通など本プログラムで意図して いる産学官連携の推進という方針と合致しているかを含めて、どのような傾向 で推移するかも注視する積もりである。
    2. 産業基盤共通
       複数の企業を含むグループが一体となって取り組む「産業基盤共通」の課題は、 表2に示す通り2009A期では合計9課題が採択され、そのうち6課題において申請 代表者が学官の研究機関である。前期と同様に、この「産業基盤共通」の課題 が産学官連携の推進の起爆剤となっているかなど、成果報告書等により課題毎 に検証する予定である。
    3. 分野別分類
       図1は、申請代表者の申告に基づいて分類した分野別採択課題数を示している。 産学官の総計ではエレクトロニクス分野の課題が多く、次いで素材分野と環境・ エネルギー分野が続いている。また、前年の前期に当たる2008A期と比較して、 大きな違いが2つある。第一に、エレクトロニクス分野において産業界の課題数 が2008A期を境に減少傾向にあることである。このエレクトロニクス業界の課題数 の減少は、図2に示す共同利用研究実施課題全体に対する割合でも同様の傾向に あることから、@景気の影響、A企業による研究開発投資業種のシフトの2つが 考えられるが、この動向に関しては、2009年度が終了した段階で利用企業の調査 を行うことで、より明確にしたいと考えている。第二として、素材分野において 学官の課題数が減少する一方で、産業界の課題数が増加していることである。 詳しく分析する必要があるものの、昨年11月のフロンティアソフトマター開発 産学連合による専用ビームラインの稼働開始など、高分子をはじめとした素材 分野関連の企業の関心が高まり、共用ビームラインの利用においても波及して いるものと考えている。いずれにしても、エレクトロニクス分野、素材分野、 環境・エネルギー分野の3大分野ではSPring-8の利用技術が極めて有用である ことを示している。
      民間企業への波及効果と今後の課題

       図3は2009A期において、重点産業利用課題を含む共同利用研究実施課題のうち、 実験責任者が民間企業の研究者である課題数の割合を示したものである。 図に示す通り、実験責任者が民間企業の研究者である課題数は共同利用研究 実施課題全体の18.5%の割合である。その内訳は、重点産業利用課題が10.2%、 一般課題のうち成果専有課題が5.3%である。この2つを合わせて15.5%となり、 民間企業の利用の実に80%以上が成果公開延期制度をもつ重点産業利用課題と 成果専有課題の2つの利用制度を旨く使い分けて利用していることが分かる。 図4に示す課題分類別推移においても、その傾向を良く示している。即ち、 2007年以降、重点産業利用課題あるいは成果専有課題の2つの利用制度での 実施割合が次第に増加していることが分かる。これは、本制度が民間企業 に根付いてきていることを表している。
       図5は、利用技術分野別(ビームライン別)民間企業実施課題数を応募課題分類 に色分けして示したグラフである。図から明らかなように産業利用T(BL19B2)、 産業利用U(BL14B2)、産業利用V(BL46XU)の3本のビームラインでは、 成果専有課題の割合が他のビームラインと比較して極端に多いことが分かる。 このことは、SPring-8の有用性が益々認識され、民間企業の実験課題が、 より事業領域に近い課題へと広がりを見せてきている証拠である。 しかしながら、前回の2008B期の重点産業利用課題成果報告書にある同様の グラフ(図4)と比較してもらうと分かる通り、3本の産業利用ビームライン における成果専有利用の課題数の割合が、2009A期において全て減少している ことが見て取れる。これは、景気の影響が次第に出てきたものであると考えられる。 成果専有利用の課題数が減少したと言え、2009A期においても特定ビームライン への課題集中による競争で課題申請しても採択されずに実施できない課題も未だ 数多くあることから、測定の効率化あるいは試料搬送の自動化など過度な競争を 緩和するあらゆる方策をタイムリーかつ迅速に進める所存である。また、未だに 潜在的な利用者として対応ができていない分析スタッフを持たない中小規模の 民間企業への対応も測定代行をはじめとした施策を広めることで新規利用者と して取り込んでいく必要があると考えている。



      図1. 重点産業利用課題における分野別採択課題数



      図2. 共同利用研究実施課題における民間企業の分野別実施課題数の年次推移



      図3. 2009A期 共同利用研究実施課題における民間企業の実験責任者の割合




      図4. 共同利用研究実施課題における民間企業の課題分類別年次推移

      図5. 2009A期 利用技術分野別(ビームライン別)民間企業実施課題数



      課題利用報告書

      この成果報告書に掲載される課題報告書は、2009A利用期に実施された課題のうち、 利用報告書公開日延期申請許可となったものは除いている。

       
      2009A1760 次世代電界放出型ディスプレイ用新規緑色蛍光体ZnAl2O4:Mn のXAFS による Mn 価数および局所構造の解明 小南 裕子 静岡大学
      2009A1761 発電時燃料電池セル内液水分布可視化解析の可能性検討 田崎  豊 日産自動車株式会社
      2009A1765 高延性を示す新規鉄基合金の変形機構の解明 鈴木  茂 東北大学
      2009A1766 水熱条件下でのトバモライト生成過程のその場X 線回折 松野 信也 旭化成株式会社
      2009A1769 セメント硬化体における水銀圧入状況の解析 人見  尚 株式会社大林組
      2009A1771 アルカリ金属水素化物のアンモニアとの反応過程における一次粒子評価 坪田 雅己 広島大学
      2009A1772 ガラス基板上の単分子撥水膜の周期構造の解析 酒井 千尋 日本板硝子テクノリサーチ株式会社
      2009A1774 ゴムの伸長結晶過程における結晶弾性率と結晶変形挙動 岸本 浩通 住友ゴム工業株式会社
      2009A1777 FeCo 合金微粒子における規則−不規則相転移温度の粒径依存性 篠田 弘造 東北大学
      2009A1778 GeSbTeSe 系相変化材料の結晶構造 松永 利之 パナソニック株式会社
      2009A1780 新規耐熱性アルミナ繊維の放射光XRD による評価 山下  雅 三菱樹脂株式会社
      2009A1781 HAX-PES を用いたソフトマテリアルの解析 金子 房恵 住友ゴム工業株式会社
      2009A1782 泡消火剤の消火能と界面活性剤の会合構造の関係に関する研究 秋葉  勇 北九州市立大学
      2009A1783 高濃度フッ化物処理されたアパタイト表層の結晶構造解析 高塚  勉 サンスター株式会社
      2009A1785 X 線侵入深さ制御X 線回折法による純鉄上生成スケールの相変態深さ分布測定 大塚 伸夫 住友金属工業株式会社
      2009A1786 新たな天然系高分子材料開発のためのシルク単繊維の結晶弾性率測定 小林 一稔 日立化成工業株式会社
      2009A1787 角層細胞間脂質の構造変化の解析を利用した製剤の開発 山 幸三 星薬科大学
      2009A1788 末端を官能基修飾した高機能ゴム材料の開発(4) 冨永 哲雄 JSR 株式会社
      2009A1789 硬X 線XPS によるNb2O5 膜中のF の分布測定 黒岡 和巳 三洋電機株式会社
      2009A1795 微小角入射X 線散乱によるポリエステルフィルムの表面構造解析(2) 吉谷 博司 積水化学工業株式会社
      2009A1797 固体酸化物型燃料電池および硫黄サイクルハイブリッド用電極材料向けTi 系酸化物の結晶構造、電荷密度の考察 伊藤 孝憲 AGC セイミケミカル株式会社
      2009A1799 高性能化に向けた塗布型有機薄膜太陽電池の界面評価 小島 優子 株式会社三菱化学科学技術研究センター
      2009A1801 電圧印加ゲートスタック試料の硬X 線光電子分光測定 高石理一郎 株式会社東芝
      2009A1803 固体高分子形燃料電池に用いる非貴金属酸素還元電極触媒の部分酸化過程のin situ XAFS による局所構造解析 石原 顕光 横浜国立大学
      2009A1804 希土類添加ペロブスカイト構造酸化物蛍光体における希土類イオンの局所構造・原子価状態解析 植田 和茂 九州工業大学大学院
      2009A1805 ベイポクロミック有機分子センサーの開発と構造解析:環境調和型シックハウスガスガス可視化検知システムの開発 高谷  光 京都大学
      2009A1806 波長分散蛍光法による高純度銅中の不純物元素分析 伊藤 嘉昭 京都大学
      2009A1807 走査型X 線微分位相顕微鏡を用いたトリートメント毛髪の構造解析 井上 敬文 株式会社カネボウ化粧品
      2009A1810 高速相変化型光記録材料GeTe-Sb2Te3 アモルファス化合物のXAFS による研究 松永 利之 パナソニック株式会社
      2009A1813 極小角X 線散乱法を用いたトリートメント毛髪の構造解析 竹原 孝二 株式会社カネボウ化粧品
      2009A1814 硬X 線光電子分光を用いた抵抗可変型メモリ電荷ホッピング極薄界面層の化学組成および界面近傍の反応の広がりの決定 中尾 愛子 独立行政法人理化学研究所
      2009A1818 CO 酸化活性に及ぼす金ナノ粒子触媒調製条件のin situ XAFS 測定による研究 大橋 弘範 首都大院東京大学院
      2009A1819 超音波誘起自己組織化特性を有する超分子金属錯体の構造解析:超音波による色調・発光特性制御の開拓 高谷  光 京都大学
      2009A1821 試料電流法XAFS による固液界面のイオン状態評価 飯原 順次 住友電気工業株式会社
      2009A1824 高温におけるステンレス鋼上の保護性クロミア皮膜の生成・成長・破壊プロセスの高輝度エックス線回折を用いた「その場」測定 佐伯  功 室蘭工業大学
      2009A1826 顕微IR を使用した毛髪内部浸透成分解析 稲益 悟志 クラシエホームプロダクツ株式会社
      2009A1827 トランジスタ用有機多結晶薄膜における結晶子サイズの評価:基板表面構造の影響 中村 雅一 千葉大学大学院
      2009A1829 金属/ Higher-k 材料/ Si 基板における界面構造と電子状態の硬X 線光電子分光法による評価 小川 慎吾 株式会社東レリサーチセンター
      2009A1830 微小角入射X 線回折測定によるポリイミドフィルム表面構造と接着性の相関の解析 幸田 政文 宇部興産株式会社
      2009A1832 極小角X 線散乱による高分子ナノファイバーの荷電紡糸過程の直接観測 谷口 信志 東洋紡績株式会社
      2009A1835 XAFS によるハイドロサイレーション反応過程の白金触媒の構造解析 国谷 譲治 信越化学工業株式会社
      2009A1837 粉末X 線回折による炭酸カルシウム粒子生成過程の結晶構造解析 江口健一郎 株式会社白石中央研究所
      2009A1838 Ni/GaN 界面の硬X 線光電子分光分析 高橋 直子 株式会社豊田中央研究所
      2009A1840 軟X 線フーリエ変換磁気ホログラフィー法による磁区イメージング技術の開発 野村 健二 富士通株式会社
      2009A1841 鉄鋼表面上に形成したさび中に含まれる添加元素の酸化状態 横溝 臣智 株式会社コベルコ科研
      2009A1844 高容量水素貯蔵材料の結晶構造解析 則竹 達夫 株式会社豊田中央研究所
      2009A1845 医薬品原薬セファレキシン結晶の脱水転移のin situ 放射光構造解析 植草 秀裕 東京工業大学大学院
      2009A1846 小角X 線散乱を用いた有機薄膜光学ローパスフィルター(OLPF)の自己組織化構造の解析 酒井 隆宏 三菱レイヨン株式会社
      2009A1849 都市ごみ処理施設の運転条件等の変動下における飛灰中重金属の化学形態と溶出特性の関係性 原田 浩希 日立造船株式会社
      2009A1852 次世代メモリ(PCRAM:Phase Change RAM)用材料GeSbTe- 薄膜へのドーピングによる相変化メカニズムの解明(T) 町田 英明 東京大学
      2009A1855 X 線反射率測定によるSi ナノ微結晶層の構造解析 大森 廣文 株式会社東芝
      2009A1856 サブナノスケールでサイズ制御した貴金属粒子触媒の製品化に向けた合成法の最適化 高木由紀夫 エヌ・イー ケムキャット株式会社
      2009A1860 有機および無機担体を用いたサブナノ金属クラスター触媒の製品化に向けたサイズ選択的合成法の開発 金田 清臣 大阪大学
      2009A1864 銀活性リン酸塩ガラス中Ag のX 線照射による価数変化 宮本 由香 株式会社千代田テクノル
      2009A1894 酸化物分散強化型フェライト鋼の製造過程における酸化物分散粒子分布の放射光その場観察に基づく析出機構の解明U(1年課題) 菖蒲 敬久 独立行政法人日本原子力研究開発機構
      2009A1895 金属材料における疲労き裂進展モード遷移条件の解明(1年課題) 中井 善一 神戸大学大学院
      2009A1896 X 線CT によるリチウムイオン二次電池合金負極の充電に伴う電極構造のその場観察(1年課題) 安田 博文 日産自動車株式会社
      2009A1911 水熱条件下でのトバモライト生成過程のその場X 線回折 松野 信也 旭化成株式会社
      2009A1913 転換電子収量法XAFS によるEu2+ 添加蛍光体の表面近傍での発光中心周辺環境の解析 國本  崇 徳島文理大学
      2009A1915 微小角入射X 線散乱によるラビング処理したポリオレフィンフィルムの表面構造解析(2) 吉谷 博司 積水化学工業株式会社
      2009A1916 X 線散乱による非晶質炭素等の構造解析 斎藤 吉広 住友電気工業株式会社
      2009A1917 氷板路での水膜除去機能を強化したゴムの開発 網野 直也 横浜ゴム株式会社
      2009A1918 第2 不純物共添加極薄金属酸化物透明導電膜の結晶構造と電気伝導機構解析 宮田 俊弘 金沢工業大学
      2009A1922 X 線散乱法による超微細25 nm ピッチ標準パターンの形状計測 表  和彦 株式会社リガク
      2009A1927 MONOS 型メモリデバイスに用いられる薄膜シリコン酸化膜の物性評価 小椋 厚志 明治大学
      2009A1928 XAFS 法による非水溶媒中金属イオンの配位子置換反応解析 バラチャンドラン・ジャヤデワン 東北大学
      2009A1929 イソプレンゴムの加硫メカニズムにおけるZnO の特性化 池田 裕子 京都工芸繊維大学
      2009A1930 チタニア(TiOx)系酸化物を有する抵抗変化メモリ(ReRAM)動作原理の解明 宮崎 誠一 広島大学大学院
      2009A1931 新光触媒Ti ドープカルシウムアパタイトの粉末X 線回折による構造解明 淡路 直樹 株式会社富士通研究所
      2009A1932 Post treatment 法で調製したCo-Mo 脱硫触媒のin-situ XAFS による局所構造解析 久保田岳志 島根大学
      2009A1933 次世代メモリ(PCRAM:Phase Change RAM)用材料GeSbTe- 薄膜へのドーピングによる相変化メカニズムの解明(U) 町田 英明 東京大学
      2009A1934 Al 合金中の水素ボイドのUSAXS による評価のための予備測定 奥田 浩司 京都大学
      2009A1935 X 線回折によるL10 型FeNi 超格子の構造評価 水口 将輝 東北大学
      2009A1936 セリウム酸窒化物青色蛍光体の発光中心の研究 武田 隆史 独立行政法人物質材料研究機構
      2009A1940 水溶液下さび還元過程の観察(1) 土井 教史 住友金属工業株式会社
      2009A1941 高容量ニッケル水素電池用異種元素置換La-Mg-Ni 系水素吸蔵合金の局所構造解析 尾崎 哲也 株式会社ジーエス・ユアサ コーポレーション
      2009A1942 ポリイミド系多孔質断熱材料の構造解析 大西  晃 独立行政法人宇宙航空研究開発機構
      2009A1968 方位角異方性に優れた配向膜の開発 冨永 哲雄 JSR 株式会社
      2009A1970 六方晶M 型フェライトの結晶構造解析 尾田 悦志 日立金属株式会社
      2009A1972 小角X 線散乱法によるナノダイヤモンド分散液の粒子径分布精密測定 後藤 公也 バンドー化学株式会社
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