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平成16年度トライアルユース成果報告書
目次

1. トライアルユースの概要
2. トライアルユース実施の経緯
3. トライアルユースの結果
4. まとめ
5. トライアルユース課題実施報告書

* 送付を希望される方は、連絡先(氏名、所属、〒住所、E-mail)をご記入の上、 事務局 support@spring8.or.jp までE-mailでご連絡ください。

トライアルユースの概要

 大型放射光施設SPring-8では、2003年度より、 (財)高輝度光科学研究センター(JASRI)が産業利用促進を目的としてトライアルユース(TU)を実施している。
 概要は、「産業界等が抱える研究開発分野、応用開発分野等の問題のうち、 SPring-8の高輝度放射光を利用することにより技術的ブレイクスルーが期待されるものを対象に、 産学官の放射光利用トライアルユースを実施することにより、地域産業活性化のためのイノベーション、 新産業の創出を支援する。」であり、年度毎に課題の重点領域を設定している。 これにより、 必要な技術や装置を予め整えることが出来るため、TU施策がいっそう有効に実現されていると考えている。
 重点分野としては、2003年度のイメージングと応力解析に引き続き、2004年度は、 「電子デバイス用薄膜、微量元素局所構造解析」を設定して実施した。 さらに、2005年度には「硬X線による光電子分光応用、薄膜・微量元素の構造解析・状態分析」を予定している。
 支援の内容は、重点分野の実験環境整備、コーディネータ及びスタッフによる実験企画・準備、実験実施、 実験解析に至る技術支援、及び個々の実験に必要な経費などの財政支援からなる。 課題の募集・審査については、一般の課題と同時に募集が行われ、TU課題選定委員会で施策趣旨に沿って審査されている。
 この報告書は実験実施後に通常提出されるExperimental Reportとは別途に提出された、TU課題実施報告書をまとめたものである。
 最後に、2005年3月10日(木)に報告会が開催され、TU評価委員会による施策全体の評価(個々の課題ではなく)が実施される予定である。

トライアルユース実施の経緯

<重点領域の指定>
「重点領域推進委員会」にて、産業応用を政策的に推進すべき分野として、 「重点産業利用」が領域指定された。トライアルユース(TU)課題は、領域指定型の重点研究課題(公募)として扱われる。

<課題選定>
「利用研究課題選定委員会」から選定を委嘱されたJASRIの「TU課題選定委員会」において、 41課題がTU課題に選定された。審査における考え方は次の通り。

  1. 一般課題の審査基準の科学技術的妥当性の下記項目のうち(ハ)と(ニ)を重視(一般課題審査の「産業利用分科会」の基準と同じ)。
    科学技術的妥当性として、以下(イ)から(ニ)のうち、いずれかに該当すること
    (イ)研究課題の先端性及び当該研究課題を含む科学技術分野の発展性ないしは新分野開拓への寄与
    (ロ)期待される研究成果の基礎的研究分野及び基盤的技術開発分野への貢献度
    (ハ)期待される研究成果の産業基盤技術としての重要性及び発展性
    (ニ)研究課題の社会的意義及び社会経済への寄与度
  2. TU課題における戦略的重点分野との関連を重視。
  3. 新規利用者、新規研究テーマ(分野)、新規産官学連携の課題を重視。

<技術支援>
コーディネータ、産業応用・利用支援グループが中心に、課題毎に担当者をおき、 BL担当者の協力のもと全所的に支援した。技術相談から実験企画、資材の調達・実験準備、実験解析など、 必要に応じてきめ細かに対応した。

<利用実験>
利用実験期間の区切りは、通常の年度分けとは少し異なる。 2004A利用期が2004年2月〜7月の期間、2004B利用期が2004年9月〜12月の期間である。 (2004B利用期は、蓄積リング棟台風被害の影響で例年と異なった期間となったが、 TUへの悪影響は避けられた。)

<報告>
2005年3月10日(木)に、2004年度のTU成果報告会およびTU評価委員会を開催し、 その結果についてはSPring-8ホームページに掲載予定である。

トライアルユースの結果

トライアルユース(TU)に参加した2004A利用期と2004B利用期の実施課題と参加機関と参加人員を表1と表2に示す。 これらの実績を整理しつつ、特徴を次にまとめる。

<提案及び実施結果>
実験責任者所属別 分野別
  申請 実施   申請 実施
57 39 薄膜 22 13
学官(産) 27 10 微量XAFS 34 16
学官 15 1 一般 43 21
合計 99 50 合計 99 50
学官(産):大学または公的機関の申請に民間が共同で参加
学官:大学または公的機関のみの申請
薄膜:薄膜の構造解析
微量XAFS:微量元素の局所構造解析
2004年度は41課題が実施された。 (ただし、2003年度(2004年2〜3月)で実施された2004A利用期の9課題の実施報告書は本報告書に収録されている。)

<参加機関及び人員>

  1. 参加規模
    ・ 申請:161名/40社、109名/22機関(内 42名/JASRI)
    ・ 利用実験参加:126名/34社、81名/19機関(内 9名/JASRI)
  2. 新規参加企業
    ・ 新規参加企業:24社(同一企業の新規部署を含む:24社)
    ・ 新規分野:12

<実施ビームライン、シフト数>
BL01B1 7課題 39シフト  
BL19B2 33課題 177シフト (産業利用ビームライン)
BL37XU 2課題 9シフト  
BL46XU 8課題 63シフト  
合計:288シフト/4ビームライン

<特徴>

  1. 課題および参加企業の分野
    エレクトロニクス 24課題
    素材 19課題
    環境・エネルギー 6課題
    薬品・食品 0課題
    その他 1課題
    昨年度に比べて、エレクトロニクス、素材関連の課題が倍増している。 これらは、重点領域の設定から予想された通りであり、施策を反映していると考えている。 ただし、化学系の企業からの課題で、具体的なエレクトロニクス製品に直結した課題は、エレクトロニクス分野として数えた。
  2. 新規参加企業
    新規参加企業24社の中で、13社は実験責任者として課題を実施した。 これはTU施策の浸透に伴い、 JASRIスタッフと課題申請前に充分に相談がなされるなど、支援が充実してきていることによる。 新規企業は、化学系の企業が多く参加している。
  3. 重点分野設定との関係
    重点分野として、電子デバイス用薄膜、微量元素局所構造解析分野を指定して募集した。 いずれの分野においても、ほぼ二倍の応募があり、ニーズの高さがうかがえる。 なお、TUとしては、不採択となった課題の何割かは、一般の課題審査で採択されている。 電子デバイス用薄膜の構造解析では、LSI用ゲートと層間絶縁膜、液晶用有機薄膜、 ストレージ用薄膜などの課題が狙い通り実施され、微量元素局所構造解析では、蛍光体、触媒などは狙い通りであった。 こうした状況も、TU施策が浸透してきた結果と考えている。
    一方、重点領域以外では、広範な分野に広がっているが、電池関連の課題が複数の企業で実施されている。

<前回との比較>

  1. 参加規模
    応募、実施課題数、ともに順調に増加している。 今回は、特に、民間の参加が161名/40社(人員で5割、企業で3割)と大幅に増加しており、 施策の意義が浸透するとともに、民間企業でのニーズがさらに顕在化しつつあることがうかがえる。
  2. 実施参加機関
    先に述べたように、新規参加企業24社の中で、13社は実験責任者として課題を実施した。 これらの企業のほとんどは、JASRIスタッフと課題申請前から充分相談がなされ、 申請しており、年度計画としてTUを実施できる利点が充分に活かされているものと考えている。 一方、大学および公的機関の参加は、前年度に比べて機関、人員ともに多少だが減少した。
  3. 特徴
    設定された重点領域に合わせてエレクトロニクス関連分野の課題が顕著であった。 一方、参加企業で見ると、 重要な部材を大手エレクトロニクス企業へ供給している企業が参画しており、 ある程度施策の意図が満たされていると考えている。また、化学系の企業の参加も、ある程度意図した通りであった。
まとめ

 トライアルユース(TU)は年度計画として実施して2年目であり、充分な計画に基づいて、 今年度もさらに円滑に実施できた。 ユーザの反応は高く、予定を大幅に上回る課題の応募があった。 期待の大きさがうかがえたこともあり、TU採択課題数を積み増ししてみたが、 今回もほぼ二倍の高い競争(倍率)となってしまった。しかしながら、TUとして不採択となった課題も、 一般の課題として再度審査されることで、 一部は緩和されている。
 内容についてみると、企業の新規参加が半分以上、新規分野も約1/3を占め、今回も、当該施策の趣旨にそって実施できた。 これは応募の多さと併せ、潜在ニーズおよび潜在ユーザが多く存在することを意味している。 さらに、新規ユーザや新規分野の課題も含め、 多くの課題で成果や次への手掛りを得ており、 今回も試験的利用を越えた内容も生まれている。 年度計画および重点分野の設定で充分な準備が出来たことが大きいと考えている。
 最後に、再度の施策実現にご尽力頂いた国の諸関係機関およびJASRIビームライン担当者など、 実施に関わって頂いた現場の方々に、 TU施策の実施責任者として、あらためて感謝いたします。

 2004A 利用期 トライアルユース実施課題 (表1
 2004B 利用期 トライアルユース実施課題 (表1−2
 2004A・B利用期 参加機関と参加人数 (表2

トライアルユース課題実施報告書
2004A0140 極小角X 線散乱法による高分子繊維構造に関する研究 村瀬 浩貴 (株)東洋紡総合研究所
2004A0146 LSI, W プラグの微小部応力測定 尾崎 伸司 (株)松下テクノリサーチ
2004A0183 高活性可視光応答型光触媒能を有するTi 置換型層状複水酸化物の局所構造解析 中平 敦 京都工芸繊維大学
2004A0237 μ-XRF およびμ-XAFS による多結晶シリコン太陽電池中の鉄の結晶内分布および局所的結合状態の研究 大下 祥雄 豊田工業大学
2004A0238 微小角入射X 線散乱を用いた低誘電率薄膜の動径分布測定 鈴木 貴志 (株)富士通研究所
2004A0257 X 線回折による溶接金属凝固組織のin-situ 観察技術の開発 米村 光治 住友金属工業(株)
2004A0281 半導体薄膜XAFSのための電子収量検出技術検討 佐竹 秀喜 (株)東芝
2004A0288 光増幅器用Er ドープシリケートガラスの局所構造の調査 笹井 淳 旭硝子(株)
2004A0326 微小角入射X 線散乱による配向膜ポリイミド分子鎖の傾斜角に関する検討 横田 純一郎 チッソ石油化学(株)
2004A0335 自己組織化単分子層の表面回折 谷 克彦 (株)リコー
2004A0340 微小角入射X 線散乱測定によるダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜の非晶質構造解析-水素含有量依存性の検討 濱田 糾 松下電工(株)
2004A0403 酸化亜鉛系セラミックスにおける超微量ドーパントのXAFS 森分 博紀 松下電子部品(株)
2004A0467 フロートガラス表面還元層における銀の価数分析 滝本 康幸 旭硝子(株)
2004A0499 高濃度塩化物中の極微量金属元素の定量 谷内 俊彦 (株)YAKIN 川崎
2004A0531 家電製品搭載用のPt 担持系ゼオライト触媒の局所構造解析 松岡 雅也 大阪府立大学
2004A0540 Hf アルミネート薄膜の動径分布関数測定 廣沢 一郎 (財)高輝度光科学研究センター
2004A0579 蛍光体材料に微量にドープされた発光サイトのXAFS 解析手法の確立 本間 徹生 (財)高輝度光科学研究センター
2004A0581 微小角入射X 線散乱法による鉄不動態皮膜の構造解析 山下 正人 兵庫県立大学
2004A0586 新規なゾルゲル法により調製した酸化チタン薄膜のXAFS 測定 井村 達哉 川崎重工業(株)
2004A0615 フッ素系潤滑剤の吸着厚み、形態に関するX 線的測定 坂根 康夫 (株)松村石油研究所
2004A0788 ペンタシルゼオライトに担持された希土類金属(La, Ce)触媒のXAFS による構造解析 斉藤 昇 (株)日本触媒
2004A0789 Ce 賦活Gd2SiO5系シンチレータ材料における賦活剤および添加剤置換サイトの解析手法確立 八木 康洋 日立化成工業(株)
2004A0792 X 線回折測定による、樹脂モールドされた基板上の素子に働く熱応力の分析 一井 秀樹 三相電機(株)
2004A0794 活性炭構造と性能の相関を求める研究 西村 修志 クラレケミカル(株)
2004A0795 各種ポリマーセメント防水材料における白華生成物構造解析および白華防止剤効果の確認 宮下 景子 (株)大関化学研究所
2004A0801 表面結晶化度の液晶配向性に与える影響 酒井 隆宏 日産化学工業(株)
2004A0802 X 線回折及びXAFS 測定による、非晶質MgxPd100-x 合金薄帯の構造解析 濱田 糾 松下電工(株)
2004A0814 水酸化鉄含有活性炭のFe 局所構造解析と高As 除去能の解明 中平 敦 京都工芸繊維大学
2004B0111 XAFS による新規PDP 用青色蛍光体CaMgSi2O6:Eu の発光中心周辺環境の解析 國本 崇 徳島文理大学
2004B0201 放射光を用いた新規高性能ポリイミド単繊維の高応力下における結晶構造変化の測定 佐藤 和彦 帝人(株)
2004B0243 フッ素系潤滑剤の吸着厚み、形態に関するX 線的測定(第2 報) 坂根 康夫 (株)松村石油研究所
2004B0329 微小角入射X線散乱によるアモルファスIZO 膜の構造解析 島根 幸朗 出光興産(株)
2004B0331 X 線反射率測定及び反射小角散乱による液晶配向膜の評価 筒井 皇晶 日産化学工業(株)
2004B0361 緑色蛍光体CSS におけるCe イオン近傍の結晶場の解析 茂岩 統之 (株)三菱化学科学技術研究センター
2004B0362 Zn 添加Y2O3:Eu 蛍光体におけるZn の局所構造解析 中西 洋一郎 静岡大学
2004B0364 斜入射X 線小角散乱による、Nano-Clustering Silica 膜の空孔評価 淡路 直樹 (株)富士通研究所
2004B0370 Ce 賦活Gd2SiO5 系シンチレータ材料における賦活剤および添加剤置換サイトの解析 八木 康洋 日立化成工業(株)
2004B0371 X 線回折による新しいナノカーボン材料の構造解析 今井 英人 日本電気(株)
2004B0384 XAFS 測定による酸化チタン担持金触媒の化学構造解析 斉藤 昇 (株)日本触媒
2004B0493 Hf シリケート薄膜の動径分布測定 竹村 モモ子 (株)東芝
2004B0617 屈折コントラスト法によるラミネート中の電極の観察 島川 祐一 京都大学
2004B0677 銀発色したフロートガラス表面における銀および種々イオンの酸化還元状態のXAFS による決定 滝本 康幸 旭硝子(株)
2004B0690 光増幅器用Er ドープシリケートガラスの局所構造の調査 笹井 淳 旭硝子(株)
2004B0893 偏向フィルム中のヨウ素のXAFS による構造解析 島津 彰 日東電工(株)
2004B0895 ナノ結晶蛍光体をガラス中に三次元積層化した高輝度蛍光ガラスの局所構造の調査 小西 明男 日本山村硝子(株)
2004B0898 XAFS 法による添加物処理したMg 系水素貯蔵材料の化学結合状態分析 市川 貴之 広島大学
2004B0900 X不溶化処理した鉛汚染土壌中の鉛のXAFS および粉末X 線回折による形態分析 口舩 愛 (株)アステック
2004B0907 酸化物蛍光体中の発光イオンEu のXAFS による状態分析 奥本 佐登志 松下電工(株)
2004B0920 Sn 添加IZO 薄膜のSn 局所構造のXAFS 解析 島根 幸朗 出光興産(株)
内容については、「平成15年度 トライアルユース成果報告書」をご覧下さい。
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