13:25〜
13:55 |
光電子分光法によるゲート絶縁膜／シリコン界面遷移層に関する研究
服部 健雄(武蔵工業大学) |
| 熱酸化法および活性酸素原子による酸化法により形成されたSiO2/Si界面遷移層、
シリコン酸窒化膜/Si界面遷移層、高誘電率ゲート絶縁膜/Si界面遷移層の角度分解光電子分光法による組成・化学結合状態・電子帯構造についての研究結果について述べる。
また、高分解能ラザフォード後方散乱法により決定した高誘電率ゲート絶縁膜の深さ方向元素分布に基づく角度分解光電子分光法の解析により、
原子スケールの分解能で明らかにできる組成・化学結合状態の深さ方向変化についても触れる予定である。
|
13:55〜
14:25 |
X線反射、CTR散乱によるゲート絶縁膜の膜･界面構造の評価
淡路 直樹 (富士通研究所) |
| MOSトランジスターに使われるゲート絶縁膜の膜厚は年々薄くなり、
最新のデバイスでは1nm付近と数原子レベルである。このため、
ゲート膜・基板界面の構造を評価することは極めて困難になっている。
アンジュレータ放射光を用いたＸ線反射率は、その測定のダイナミックレンジが１２桁と広いため、
1nmの膜でも評価が可能である。一方、X線CTR散乱は、基板結晶の表面回折を測定するため、
電気特性に重要な基板界面構造が評価できる。これらの手法を用いたゲート絶縁膜の評価について述べる。
|
14:25〜
14:40 |
（休 憩） |
14:40〜
15:10 |
高平行度X線マイクロビームによるSOIウェーハの評価
津坂 佳幸 (姫路工業大学) |
| 次世代LSI基板として注目されているSOIウェーハの内、
製造方法の異なる貼り合わせウェーハとSIMOXウェーハの結晶性を高平行度X線マイクロビームを用いて評価した。
その結果、両ウェーハとも従来のシリコンウェーハに比べその結晶性が悪く、
また製造方法によっても結晶性が大きく異なることを明らかにした。 |
15:10〜
15:40 |
微小角入射X線散乱によるアモルファス薄膜構造評価の試み
廣沢 一郎 (JASRI) |
| これまであまり調べられていなかった層間絶縁膜やゲート絶縁膜を対象としたアモルファス薄膜の構造を比較的手軽に評価する手法として検討を行っている微小角入射X線散乱法に関する検討結果とその応用例について紹介いたします。
|
15:40〜
16:00 |
（休 憩） |
16:00〜
16:30 |
Ｘ線小角散乱による多孔質層間絶縁膜の評価
表 和彦 (理学電機) |
| 多孔質層間絶縁膜においては，機械的強度等をできるだけ劣化させないで，
多くの空孔を導入することがポイントとなる．そのために，空孔の大きさや空孔率を測定することが必要になる．
Ｘ線小角散乱や反射率によって，これらの量を測定する方法について紹介する． |
16:30〜
17:00 |
Cu多層配線の信頼性と残留応力評価
鈴木 貴志 (富士通株式会社) |
| 微細化が進むLSIの配線においては、その信頼性をいかに確保できるかが大きな懸念事項となっている。
本講演では放射光を用いた残留応力の評価を行い、Cu多層配線の信頼性を劣化させる要因の一つである、
ストレスマイグレーション現象を解析した結果などを紹介する。 |
17:00〜
17:30 |
総 括
古宮 聰 (JASRI) |
|
