トライアルユース成果報告会 タイトル

 (財)高輝度光科学研究センターでは、平成15年度より、産業利用促進及び産学官連携利用推進の一環として、産業界等が抱える研究開発分野のうち、 SPring-8の高輝度放射光を利用することにより技術的ブレイクスルーが期待されるものを対象に、一般課題とは別に重点研究課題としてトライアルユースを実施しています。
 この度、下記の通り、平成15年度トライアルユース成果報告会を開催することとなりました。重点分野として実施した応力解析、イメージングの課題を中心に代表的な9件の成果を発表します。


主 催  (財)高輝度光科学研究センター(JASRI)
日 時  平成16年3月25日(木) 10:00〜14:40
会 場  主婦会館プラザエフ 7階 カトレア  (地図)
 東京都千代田区六番町15番地 Tel:03-3265-8111

プログラム
10:00〜10:20 トライアルユースの概要と結果 古宮 聰 (JASRI)
10:20〜14:20 成果報告 (講演:各20分)
(10:20-10:40) 1. レーザーパルス照射痕の微小部残留応力分布測定 佐野 雄二 (東芝)
(10:40-11:00) 2. 水素吸蔵材料多層薄膜の応力測定 野崎 洋 (豊田中央研究所)
(11:00-11:20) 3. プリント基板の金属配線部の残留応力の非破壊測定 浅井 洋光 (デンソー)
(11:20-11:40) 4. 白色X線トポグラフィーによる蛍石内部構造の可視化 野間 敬 (キヤノン)
(11:40-12:00) 5. 電極近傍での水素気泡の成長と減衰 田中 喜典 (松下電工)
( 昼 食 )
(13:00-13:20) 6. 中国および日本産の青銅器の蛍光分析 外山 潔 (泉屋博古館)
(13:20-13:40) 7. 放射光を用いた水和凝固型防水材における水和反応追跡および水和物結晶構造解析 宮下 景子 (大関化学研究所)
(13:40-14:00) 8. 希土類・遷移金属を含むGaN希薄磁性半導体での偏光XAFS法による局所構造と諸物性 江村 修一 (大阪大学)
(14:00-14:20) 9. 高速相変化型光記録材料GeTe-Sb2Te3擬二元系化合物のXAFSによる研究 松永 利之 (松下テクノリサーチ)
14:20〜14:40 講 評 池田 重良 (立命館大学・TU評価委員長)

参加要項
参加費 無料
定 員 100名 (定員になり次第締め切らせていただきます)
申込方法

参加申込書に必要事項を記入の上、電子メールまたはFAXにてお申し込み下さい。
 参加申込書http://support.spring8.or.jp/group/appl040325.txt

申込締切 平成16年3月19日(金)
(締め切り後の申込みは下記にご連絡下さい)

お問合せ先
事務局 (財)高輝度光科学研究センター(JASRI)
利用支援室 辻、竹内
TEL:0791-58-0924, FAX:0791-58-0948
e-mail : support@spring8.or.jp

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