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放射光によるLSI新材料評価技術
| テキスト 題目 | PDF file | 作成者 |
| 光電子分光法によるゲート絶縁膜／シリコン界面遷移層に関する研究 |  517KB |
服部 健雄(武蔵工業大学) |
| X線反射、CTR散乱によるゲート絶縁膜の膜･界面構造の評価 | 521KB |
淡路 直樹 (富士通研究所) |
| 高平行度X線マイクロビームによるSOIウェーハの評価 | 644KB |
津坂 佳幸 (姫路工業大学) |
| 微小角入射X線散乱によるアモルファス薄膜構造評価の試み | 344KB |
廣沢 一郎 (JASRI) |
| Ｘ線小角散乱による多孔質層間絶縁膜の評価 | 433KB |
表 和彦 (理学電機) |
| Cu多層配線の信頼性と残留応力評価 | 552KB |
鈴木 貴志 (富士通株式会社) |
