平成20年度 SPring-8 重点産業利用課題成果報告書(2008A)
目次

1. はじめに
2. 公募の内容
3. 成果公開の考え方
4. 実施の経緯と流れ
5. 結果
6. 民間企業への波及効果と今後の課題
7. 課題利用報告書
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はじめに

 産業利用の更なる促進を目的に、平成17年度(2005B期)より文部科学省のプログラムとして 先端大型研究施設戦略活用プログラム(戦略活用プログラム)が実施されて支援体制の整備が進み、 利用実績も増加すると共に産業利用推進室の活動も軌道に乗ってきた。平成19年度(2007A期)から 2年間、領域指定型の重点研究課題の一つとして承認された重点産業利用課題は先に実施された戦略 活用プログラムを継承する施策として位置付けており、2008A期から2年目に入る。

公募の内容
  1. 公募の分類
     本プログラムで募集する課題は「新規利用者」、「新領域」、「産業基盤共通」と「先端技術開発」 の4つに分類している。
     「新規利用者」とは、申請代表者が、これまで、一般課題への応募などを含め、SPring-8を利用した ことのない利用者を指している。但し、事業規模が相当程度大きく事業範囲が多岐に及ぶ企業で、 これらの企業が既に利用している場合には、既に利用している事業分野とは異なる新規分野からの新 たなユーザーであれば、「新規利用者」として認めている。
     「新領域」とは、申請者の利用経験に関係なく、これまでSPring-8で実施されたことがない産業領 域、あるいは、近年開発された新手法を用いることによって新たな展開が可能になる産業領域を指し ている。新領域の例示を下記に示しているが、これ以外でも新規性が認められる研究領域であれば、 新領域の対象になる。。

       ○コンクリート等建築資材⇒三次元内部構造をX線CTによる撮影
       ○ヘルスケア⇒毛髪や皮膚の構造をX線回折・散乱及び透視画像で解析
       ○医薬品原薬⇒粉末X線回折による構造解析
       ○硬X線光電子分光法⇒薄膜材料の内部界面の状態解析
       ○環境負荷物質微量分析⇒大気・水などの重金属汚染物質の化学状態
       ○耐腐食構造材⇒金属材料の表層やサビの構造・状態分析
       ○高密度記録装置⇒DVD、HDD等の新規記録材料の薄膜構造・状態分析



     「産業基盤共通」とは、それぞれの産業分野に共通する課題を解決する目的、あるいは産業利用に 有効な手法の共同開発を目的として、複数の企業を含むグループが一体となって取り組むもので、新 計測技術の確立、共通課題のデータベース化等を図る研究を指している。申請代表者が複数の企業を 含むグループを取りまとめて、1つの課題として申請して頂く。ここで言う「複数の企業」とは、そ れぞれ参加する企業が同等かつ独立に成果を利用できる関係にあることを想定している。したがって、 産学官連携の研究グループによる利用の場合には、学と官は「複数の企業」としてカウントされない。
     「先端技術開発」とは、ユーザーが実施するイノベーション型の技術開発課題で、成果の企業業績へ の貢献、あるいは社会還元を目指した研究を指している。

  2. 公募の回数
    BL19B2(産業利用Ⅰ)、BL14B2(産業利用Ⅱ)、BL46XU(産業利用Ⅲ)の3本のビームラインは、 2007B期から課題公募を2回に分けて実施している。これら3本の産業利用ビームラインを除く共 用ビームラインのうち、重点産業利用課題にビームタイムを割り当てた対象ビームラインでは、 これまで通り、2008A期の課題公募では1回である。

成果公開の考え方

SPring-8を利用して得られた実験・解析結果及び成果は、以下の利用報告書に取りまとめて提出してもらう。

  1. 利用報告書Experiment Report(英文または和文)
    利用終了日から60日以内にオンライン提出。
  2. 重点産業利用課題報告書(和文)
    課題採択後に利用業務部より送付される文書に記載されている締切日までに提出。 なお、提出方法は「電子データ(原則としてMSワード)」を電子メールまたは郵送で所定の宛先に提出。

 上記の2008A期の報告書のうち「利用報告書Experiment Report」は2008A期終了後60日目から2週間後 にWeb上で公開される。「重点産業利用課題報告書」は印刷公表とする。ただし、利用者が提出した報告 書について、製品化や特許取得などの理由により公開の延期を希望する場合は、財団法人高輝度光科学 研究センターが適当と認めた場合に限り最大2年間延期することができる(2つの報告書自体は、締切日 までに必ず提出してもらう)。また、公開延期期間満了時には、公開延期を認められた申請時の理由に 対して、結果・成果等をまとめて報告をしてもらう。

実施の経緯と流れ
  1. 重点領域の指定
     重点産業利用課題が領域指定型の重点研究課題として、平成19年1月26日に重点領域推進委員会で 平成19年度と平成20年度の2年間指定を受けた。これより、重点産業利用課題は領域指定型の重点研究 課題(公募)として扱われている。
  2. 課題選定
     課題の選考は、学識経験者、産業界等の有識者から構成される「利用研究課題審査委員会」 (以下「課題審査委員会」という。)により実施される。課題審査委員会は、「重点産業利用領域」 として領域指定された趣旨に照らして優秀と認められる課題を選定する。
     審査は非公開で行われるが、申請課題との利害関係者は当該課題の審査から排除される。また、 検討会および選定委員会の委員は、委員として取得した一切の情報を、委員の職にある期間だけ でなくその職を退いた後も第三者に漏洩しないこと、情報を善良な管理者の注意義務をもって管 理すること等の秘密保持を遵守することが義務付けられている。
  3. 審査の手順
     審査は以下の手順により実施される。
    1. 形式審査
      提出された申請書類について、応募の要件を満たしているかについて審査する。 なお、応募の要件を満たしていないものは、以降の審査の対象から除外される場合がある。
    2. 書類審査
      課題審査委員会の下に設置する産業利用分科会により、書類審査を実施する。
    3. 最終審査
      書類審査における評価を踏まえ、課題審査委員会において審査を実施し採択課題を決定する。
  4. 審査の観点
     審査(形式審査を除く)は、以下の観点に重点を置いて実施される。
    1. 科学技術における先端性を有すること
    2. 産業利用上の成果創出に資すること
    3. 課題分類の趣旨に合致すること
    4. 研究手段としてのSPring-8の必要性
    5. 実験内容の技術的な実施可能性
    6. 実験内容の安全性
  5. 利用者支援
     コーディネーター並びに産業利用支援グループが中心となり、課題毎に担当者をおき、 BL担当者の協力の下、全所的に利用者支援を実施した。支援の内容は、重点分野における実験環境の整備、 コーディネーター及びスタッフによる実験企画・準備、実験実施、実験解析に至る技術支援などからなる。
  6. 利用実験
     平成20年4月5日~平成20年8月1日までに実施された利用実験課題である
  7. 報告
     平成21年9月初旬開催予定の第6回SPring-8産業利用報告会において、平成20年度2008A期の 重点産業利用課題の成果報告を行う。日程およびプログラムなど詳細については後日SPring-8 ホームページ上に掲載予定である。
結果

以下に平成20年度2008A期の重点産業利用課題の応募・採択結果についてまとめる。

  1. 応募・採択結果

    表1 募集時期及び研究機関別応募・採択結果
    募集時期 機関分類 応募数 採択数 採択率(%)
    第1回募集 学官
    36
    29
    80.6
    産業界
    57
    47
    82.5
    第2回募集 官学
    22
    16
    72.7
    産業界
    31
    23
    74.2
    第1回:4課題は一般課題に分類される12条課題のため除外済
    第2回:4課題は一般課題に分類される12条課題のため除外済


  2. 分類
    表2 募集時期及び研究機関別・領域別採択結果
    募集時期 領域分類 産業界 学官 産学官合計
    第1回募集 産業基盤共通
    0
    3
    3
    新規利用者
    6
    4
    10
    新領域
    15
    6
    21
    先端技術開発
    26
    16
    42
    第2回募集 産業基盤共通
    0
    2
    2
    新規利用者
    4
    5
    9
    新領域
    4
    4
    8
    先端技術開発
    15
    5
    20


  3. 利用報告書の公開日延期
     2008A期で実施した課題について利用報告書公開日延期申請が提出された課題の内訳は次の通りである。
    ○公開日延長許可:22課題
     理由内訳(複数回答有り)
      a.知的財産権の取得のため:18課題
      b.事業への適用のため:8課題(5課題はaと重複)
      c.その他の理由:1課題

    ○公開日延長不許可:なし

     下記の表3は、公開日延期許可された課題を分野別に分類した結果を示す。

    表3 分野別公開日延期許可課題
    分野 課題件数
    エレクトロニクス
    8
    環境・エネルギー
    5
    素材(金属・高分子等)
    6
    製薬・生活用品
    2
    その他
    1
    合計
    22


  4. 産官学の動向
    1. 研究機関
       本プログラムでは産業界にとって有効な利用手法の開発が産学官連携により 積極的に展開されるとの観点から、民間企業のみならず、大学等の公的部門か らの応募も受け入れることにしている。その結果、表1に示す通り、2008A期 には、本プログラムが開始された昨年に比べて学官からの採択課題数の割合が 約4割と増加した。今後、以下で言及している産業基盤共通など本プログラム で意図している産学官連携の推進という方針に合致しているかを注意深く見守 る必要ある。
    2. 産業基盤共通
       複数の企業を含むグループが一体となって取り組む「産業基盤共通」の課題は、 表2に示す通り2008A期合計5課題が採択され、その全ての課題において申請代表 者が学官の研究機関である。上述の通り、産学官連携の推進の方針に合致したも のであるかを今後注意深く見守る必要ある。
    3. 分野別分類
       図1は、申請代表者の申告に基づいて分類した分野別採択課題数を示している。 産業界及び学官ともにエレクトロニクス分野の課題が多く、次いで産業界では素 材(金属、高分子等)分野の課題と続いていること、また、期毎に増加しているこ とから、産業界において、この2大分野ではSPring-8の利用技術が極めて有用で あることを示している。


      図1 分野別採択課題数

    民間企業への波及効果と今後の課題

     図2は2008A期において、重点産業利用課題を含む共同利用研究実施課題のうち、 実験責任者が民間企業の研究者である課題数の割合を示したものである。図に示す 通り、民間企業の課題数は共同利用研究実施課題全体の18.6%の割合である。その 内訳は、重点産業利用課題が9.4%、一般課題のうち成果専有課題が6.1%である。 この2つを合わせて15.5%となり、産業界は成果公開延期制度をもつ重点産業利用 課題と成果専有課題の2つの利用制度を旨く使い分けていることが分かる。そのこ とは、図3に示す課題分類別推移においてもその傾向を良く示している。また、 図4は、利用技術分野別(ビームライン別)民間企業実施課題数を応募課題分類 に色分けして示したグラフである。図から明らかなように産業利用Ⅰ(BL19B2)、 産業利用Ⅱ(BL14B2)、産業利用Ⅲ(BL46XU)の3本のビームラインでは、成果専 有課題の割合が他のビームラインと比較して極端に多いことが分かる。このことは、 SPring-8の有用性が益々認識され、民間企業の実験課題がより事業領域に近い課題 へと広がりを見せてきている証拠であると考えられる。
     今後は、特定ビームラインへの課題集中による競争で課題申請しても採択されず に実施できない課題も未だ数多くあることから、測定技術向上と効率化あるいは試 料搬送の自動化など過度な競争を緩和するあらゆる方策をタイムリーに進める必要 がある。また、これから次第にその利用者の増加が見込まれる分析スタッフを持た ない中規模企業への対応も早急に検討する必要がある。



    図2 2008A共同利用研究実施課題の民間企業の実験責任者の割合




    図3 民間企業による共同利用研究実施課題の課題分類別推移




    図4 利用技術分野別(ビームライン別)民間企業実施課題数



    課題報告書

    この成果報告書に掲載される課題報告書は、2007A利用期に実施された課題のうち、 利用報告書公開日延期申請許可となったものは除いている。

     
    2008A1760 C、A、M、R面サファイアの窒化条件による窒化物の状態と結晶学的方位関係の分析 李  孝鐘 東北大学
    2008A1761 表面敏感XAFSによる製鋼スラグ表面のCr化学状態分析と六価クロム溶出挙動への考察 篠田 弘造 東北大学
    2008A1762 XAFSによる(Ca,Sr)-La-Co系M型フェライトの金属イオンのサイト分布解析 小林 義徳 日立金属株式会社
    2008A1764 微小角入射X線散乱によるラビング処理したポリオレフィンフィルムの表面構造解析 吉谷 博司 積水化学工業株式会社
    2008A1766 予防保全施工材料の残留応力の回折面依存性の調査 田中 良彦 東京電力株式会社
    2008A1767 セラミック釉薬中に存在するAgの抗菌機構の解明 山嵜 悟 株式会社INAX
    2008A1768 X線回折法による新規高性能ポリベンズオキサゾール単繊維の高応力下における結晶構造変化の測定 畳開 真之 帝人株式会社
    2008A1771 紫外線による皮膚角層細胞間脂質構造及びバリア能への影響 片山 靖 花王株式会社
    2008A1776  廃棄物溶融スラグ中鉛の溶出挙動と構造因子の関係解明に関する研究 高岡 昌輝 京都大学大学院
    2008A1777  コンテナレス法により作製したAl2O3-SiO2系ガラスの構造解析 野上 正行 名古屋工業大学
    2008A1778  水熱条件下でのトバモライト生成過程のその場X線回折 小川 晃博 旭化成建材株式会社
    2008A1779 プロトン伝導体のリートベルト、MEM解析によるプロトン拡散挙動の考察 伊藤 孝憲 AGCセイミケミカル株式会社
    2008A1780 固体酸化物型燃料電池(SOFC)空気極 材料の高温におけるA,Bサイトの酸素配位数、金属-酸素結合長の考察 伊藤 孝憲 AGCセイミケミカル株式会社
    2008A1781 極浅高濃度ボロンドーピングにおける深さ方向の結晶性測定 小椋 厚志 明治大学
    2008A1782 X線小角散乱による、縮毛矯正(ストレートパーマ)施術によるクセ毛の中間径フィラメント(IF)の構造変化の研究 細谷 佳一 株式会社ヌースフィット
    2008A1784 放射光X線回折を利用した角層細胞間脂質の構造解析に基づく医薬品・化粧品の開発 高山 幸三 星薬科大学
    2008A1786 ガス漏れ警報器用センサに用いるSnO2系材料の結晶構造解 前川  亨 新コスモス電機株式会社
    2008A1788 硬X線光電子分光によるGaInAsP/Al2O3界面の評価 斎藤 吉広 住友電気工業株式会社
    2008A1789 XAFS法による細菌細胞と銀イオンとの相互作用の解明 小西 康裕 大阪府立大学
    2008A1790 CO2レーザ照射による光ファイバ融着接続部内含有物質のSPring-8放射光光源を用いた蛍光X線分析研究 小池 真司 日本電信電話株式会社
    2008A1791 硬X線光電子分光による抵抗変化酸化物メモリデバイスの局所領域での金属・酸化物界面状態解析 魏  志強 松下電器産業株式会社
    2008A1794 極小角X線散乱法による高強度・高弾性率繊維のナノスケール構造に関する研究 福島 靖憲 東洋紡績株式会社
    2008A1797 超長寿命域における鋼中の疲労損傷の観察 塩澤 大輝 神戸大学大学院
    2008A1798 放射光を用いた単色X線CT装置による乳化物の相構造解析 久米 卓志 花王株式会社
    2008A1799 硬X線光電子分光によるFeCo合金微粒子表面の熱挙動分析 篠田 弘造 東北大学
    2008A1800 蛍光分光XAFS法による第2不純物共添加金属酸化物透電膜の局所構造と伝導機構の関係の解明(Ⅱ) 宮田 俊弘 金沢工業大学
    2008A1802 窒化シリコン薄膜のGIXS解析 上原  康 三菱電機株式会社
    2008A1803 微小角入射X線回折法による共役系発光高分子の薄膜構造解析 濱松  浩 住友化学株式会社
    2008A1804 全固体リチウム二次電池の高出入力化に向けた高機能遷移相の形成機構の解明 入山 恭寿 静岡大学
    2008A1805 異常分散を利用したX線回折によるFeCo合金微粒子の規則-不規則結晶相解析 篠田 弘造 東北大学
    2008A1807 宝石サンゴ骨軸における炭酸塩構造のSR-IR分析 岩崎  望 高知大学
    2008A1809 ホール素子への応用を指向した有機半導体の粉末X線結晶構造解析 小林 由佳 早稲田大学
    2008A1812 磁気デバイス交換結合膜磁気異方性の界面処理依存性の軟X線共鳴磁気反射率による解明 淡路 直樹 株式会社富士通研究所
    2008A1813 トランジスタ用有機多結晶薄膜における結晶子サイズの評価 中村 雅一 千葉大学大学院
    2008A1814 PEEMによる磁気ヘッド・MRAM用交換結合膜の反強磁性・強磁性磁区構造観察 野村 健二 株式会社富士通研究所
    2008A1816 担持パラジウムをサブナノサイズにコントロールしたデンドリマー触媒の製品化のための実験室的な検査方法の開発(XAFSとの相関性の取得) 高木由紀夫 エヌ・イー ケムキャット株式会社
    2008A1818 高分解能硬X線光電子分光(HX-PES)による次世代半導体プロセス用極浅砒素(As)のプラズマドーピング層の化学結合状態の評価 金  成国 株式会社ユージェーティーラボ
    2008A1819 摩擦転写プロセスによる高効率有機EL開発を目的とした発光性高分子の結晶多形制御に関する研究 三崎 雅裕 独立行政法人産業技術総合研究所
    2008A1820 高分解能X線回折によるBa1-xCaxTiO3の精密結晶構造解析 安川 勝正 京セラ株式会社
    2008A1821 有機半導体超薄膜の構造評価 吉本 則之 岩手大学
    2008A1822 SiC基板上にエピタキシャル成長したグラフェン層のX線CTR散乱を用いた構造解析 日比野浩樹 日本電信電話株式会社
    2008A1823 水素貯蔵材料開発のための混合系水素化物の結晶構造解析 則竹 達夫 株式会社豊田中央研究所
    2008A1825 時間分解EXAFS分光法によるCo/SiO2触媒の乾燥,焼成過程におけるCoナノクラスターの動的構造変化のin-situ観察:含浸溶液へのキレート剤添加の影響 小泉 直人 東北大学大学院
    2008A1826 屈折コントラストイメージングによる固体高分子型燃料電池中での水分発生状況確認手法の開発 大橋 一俊 株式会社住化分析センター
    2008A1828 ボロン系アモルファス固体への遷移金属ドープによる結合転換と高抵抗チップ材料の開発に関する研究 木村  薫 東京大学
    2008A1829 シックハウスガス可視化検知のための有機分子センサーの開発と構造解析 高谷  光 京都大学
    2008A1830 鉄バクテリア・フロックにおける3価砒素の酸化抑制の検討―地下水中砒素除去の高速生物濾過法の最適化のために 藤川 陽子 京都大学
    2008A1831 マイクロビームX線小角散乱法による毛髪老化の研究―キューティクルの変化― 伊藤 隆司 花王株式会社
    2008A1833 超音波誘起ゲル化能を有する遷移金属錯体のab-initio粉末X線構造解析 高谷  光 京都大学
    2008A1837 XAFSによるEu2+添加真空紫外線励起用蛍光体の劣化解析 國本  崇 徳島文理大学
    2008A1839 光ファイバー通信領域III-N-V半導体におけるアニール時原子再配列のXAFS法による研究 青柳 利隆 三菱電機株式会社
    2008A1840 TMR, CPP-GMR薄膜のサブナノオーダー厚さ領域における磁性体のスピン分極状態解析 柳内 克昭 TDK株式会社
    2008A1841
    2008A1932
    放射光粉末X線結晶解析による医薬品原薬の脱水挙動解明 寺田 勝英 製剤機械技術研究会
    2008A1843 有機工業材料系を対象とした放射光利用粉末X線結晶構造解析の応用研究(1年課題) 橋爪 大輔 独立行政法人理化学研究所
    2008A1845 親水性を制御した金属基材とポリフェニレンスルフィド(PPS)が接する界面における微小角入射X線回折測定を用いたPPSの結晶構造解析 古賀 智之 株式会社豊田中央研究所
    2008A1846 人工関節用MWCNT添加超高分子量ポリエチレンの放射光IR解析 西村 直之 ナカシマプロペラ株式会社
    2008A1848 高反応選択性を発現する固体パラジウム触媒の創成と構造解明:光学活性中間体合成のための実用不斉水素化触媒の開発 杉村 高志 兵庫県立大学大学院
    2008A1849 X線小角散乱法を用いた超薄膜微細加工レジスト材料中の密度ゆらぎの研究 小野寺純一 東京応化工業株式会社
    2008A1851 ガリウム添加酸化亜鉛薄膜中のガリウムの存在状態の解明 三宅 亜紀 高知工科大学
    2008A1853 硬X線光電子分光によるカーボンナノチューブ配線低抵抗化に向けた電極構造の最適化 粟野 祐二 株式会社半導体先端テクノロジーズ
    2008A1855 MEMSにおける異種材料間直接接合のメカニズムの解明 ― Arイオン照射の効果について 矢代  航 東京大学
    2008A1885 溶接部近傍表面内部残留応力測定(1年課題) 栗村 隆之 三菱重工業株式会社
    2008A1886 高強度アルミニウム合金における腐食疲労ピットおよびき裂の発生と成長の観察(1年課題) 中井 善一 神戸大学大学院
    2008A1887 構造材内部欠陥を起点とする疲労き裂のマイクロCTによる可視化と破壊メカニズムの検討(1年課題) 佐野 雄二 株式会社東芝
    2008A1891 鋳型法により高比表面積化した非貴金属系燃料電池正極触媒としての炭素材料中の活性点構造のXAFS測定による分析 丸山  純 地方独立行政法人大阪市立工業研究所
    2008A1892 固体高分子形燃料電池に用いる非白金酸素還元触媒の局所構造解析 石原 顕光 横浜国立大学
    2008A1894 乱用薬物錠剤のままでの放射光X線回折測定による成分分析の評価実験 杉村 高志 兵庫県立大学
    2008A1896 ゼオライトを担体とした新規Pd触媒の官能基選択性発現メカニズム解明を目的としたゼオライト細孔内のPd分布の解析 前川 智弘 岐阜薬科大学
    2008A1898 末端を官能基修飾した高機能ゴム材料の開発(3) 冨永 哲雄 JSR株式会社
    2008A1900 X線小角散乱によるAlN膜上GaNナノドットの構造解析 表  和彦 株式会社リガク
    2008A1901 放射光CTによるステンレス鋼SUS316Lの応力腐食割れき裂の検出 中東 重雄 財団法人発電設備技術検査協会
    2008A1902 水溶液中における鉄の酸化に伴う金属イオンの化学状態と局所構造の解析 鈴木  茂 東北大学
    2008A1903 XAFSによるシリコーン産業用白金触媒の構造解析の検討 国谷 譲治 信越化学工業株式会社
    2008A1904 タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム単結晶中のLi、Ta、Feの価数 西村 裕介 住友金属鉱山株式会社
    2008A1905 水熱条件下でのトバモライト生成過程のその場X線回折 松野 信也 旭化成株式会社
    2008A1908 微小角入射X線散乱法によるステンレス鋼黒色皮膜の構造解析 山下 正人 兵庫県立大学
    2008A1909 Tiナノ粒子のXAFS分析 山崎 紀子 三菱重工業株式会社
    2008A1911 X線イメージングによるリチウムイオン二次電池合金負極の充放電に伴う電極構造のその場観察 草地 雄樹 日産自動車株式会社
    2008A1912 セリア添加正方晶ジルコニア多結晶体の応力誘起相変態における粒径依存性 波多  聰 九州大学
    2008A1914 埋立処分地でのカルシウムスケールによるフッ素およびホウ素の鉱物生成的取込・吸着除去メカニズムの解明 島岡 隆行 九州大学大学院
    2008A1916 極小角X散乱法を用いた光学用ポリエステルフィルムの散乱体構造評価出 佐藤 和彦 帝人株式会社
    2008A1918 チタン酸バリウム系PTCサーミスタにおける微量不純物の同定 玉置  純 立命館大学
    2008A1921 チタン酸バリウム系PTCサーミスタにおける希土類イオンドナーのXAFSによる局所構造解析 玉置  純 立命館大学
    2008A1926 スピネル型酸窒化アルミニウム蛍光体のマンガン局所構造 武田 隆史 独立行政法人物質・材料研究機構
    2008A1928 蛍光EXAFS法によるhigh-kゲート絶縁膜HfSiON中Hf原子周辺の局所構造解析(3) 尾嶋 正治 東京大学
    2008A1930 ゴムのミクロ領域における歪みの集中とその時間変化に関する研究 馬渕 貴裕 住友ゴム工業株式会社
    2008A1931 X線イメージングによるニッケル基合金、ステンレス鋼中のSCCき裂進展挙動の透過観察 久保 達也 株式会社東芝
    2008A1938 有機-無機ハイブリッドネットワーク錯体を対象とした放射光利用粉末X線結晶構造解析の応用研究 河野 正規 東京大学大学院
    2008A1939 ゴム接着処理後のブラス表面のHAX-PES解析 網野 直也 横浜ゴム株式会社
    2008A1940 硬X線光電子分光を用いたITOとα-NPD界面へ挿入されたMoO3超薄膜の電子状態解析 塩沢 一成 株式会社三井化学分析センター
    2008A1941 塩酸酸性溶液中のCu、Co、Hf、Zrクロロ錯体構造のEXAFSによる解析 打越 雅仁 東北大学
    2008A1943 X線小角散乱測定による低分子ポリマーを用いた化学増幅型レジスト薄膜中の酸発生剤分布の膜厚依存性の研究 小野寺純一 東京応化工業株式会社
    2008A1944 XAFSを用いたITOとα-NPD界面へ挿入されたMoO3超薄膜の構造ならびに電子状態解析 塩沢 一成 株式会社三井化学分析センター
    2008A1945 Siナノ微結晶層の構造解析 大森 廣文 株式会社東芝
    2008A1946 次世代チャネル材料適用に向けた多層グラフェンの構造及び電子状態の評価 粟野 祐二 株式会社富士通研究所
    内容については、「平成20年度 SPring-8 重点産業利用課題成果報告書(2008A)」をご覧下さい。
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